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 ProbeAce Products

Recent semiconductor market trend, such as highly integration and scaling of device, parallelism, and 3D-stacked ICs, increases the number of I/O pads for testing and makes pad arrangement more complicated. The number of pads and the pad arrangements influence probe arrangements. Our probe technology can meet a wide variety of geometrical requirements across the entire device category with a single manufacturing method.

今日における半導体市場のトレンドとして、デバイスの高機能化と縮小化、複数デバイス同時測定、三次元集積化等があります。こうしたトレンドはテスト用I/Oパッドの増加と配列の複雑化をますます牽引しています。テストパッドの数と配列は、プローブ配列に大きく影響します。我々のプローブ技術によれば、一つのプローブ製造技術ですべてのデバイス群の非常に多くの配列要求を満たすことができます。

Application
Probe Card for LCD driver IC test

Sample_LCDdr_S

LCD driver ICs are unique devise because of die form factor, which have around thousands of fine-pitch and narrow gold bump pads in a high aspect ratio of die configuration. The bump pads have become more precise and high-count pad arrangements as a number of pixels increase. Some of high end LCD driver ICs have a very fine pad pitch of less than 15 um with high count of more than 2000 pins. Our probe card technology is particularly useful for fine-pitch and high-pin-count devises like LCD driver ICs.

液晶画面駆動用ICは、そのチップ形状においてユニークなICであり、細長いチップ形状の中に千以上の狭ピッチで細い金バンプパッドで構成されています。画素数の増加に伴いより、バンプパッドはより精密で多数のパッド配列となり、いくつかの高機能ICでは、15umを下回る狭ピッチな配列で2000ピン以上の配列となっています。我々のプローブカード技術は、こうしたLCDドライバICのような多ピン狭ピッチICに特に有効です。

LCD driver testing


Probe Card for Image Sensor, Logic IC, and 3D IC stacking with TSV

Sample Logic_S  Due to the rapidly increasing usage of smartphones and touch panel PC, manufacture trend is moving toward 3D-stacked ICs with TSV technology, to enable more functionality in smaller packages. However, in this new category, one poor yielding die can significantly lower the yield rate for the entire 3D stacked package. So the direct TSV probing will be more essential technology for high yield 3DICs. Ultra-fine-pitch area array probes of less than 50 um are required for direct TSV probing. Our probe card technology is exactly useful for fine-pitch area array probing.

スマートフォンやタッチパネルPCの急激な増加に伴い、小パッケージ下でのさらなる高機能化のために、半導体製造のトレンドは確実にTSV技術を用いた三次元積層組立の方向に向かっています。しかしながらこの新しい分野においては、低い歩留りのチップが三次元積層後のデバイス全体の歩留りを著しく低下させます。したがって、TSVへの直接プロービングは、三次元積層IC歩留り向上のためには、今後ますます重要な課題となります。TSVへの直接プロービングのためには、50umピッチを下回るエリア配列プローブが要求されます。我々のプローブカード技術は、正にこうした狭ピッチエリアアレイプロービングに最適です。

 Wide IO_01

Probe Card for Memory IC

Sample_memory  Economical and technical issues of memory IC testing like DRAM and Flash memory is high-parallelism including full wafer contacting. Probe card for memory ICs requires a high-pin-count probe design with several tens of thousands of pins. Our probe card technology is also useful for large area probing of 300 mm (or 450 mm in near future) diameter wafer, using large overdrive design.

メモリIC(DRAMやフラッシュメモリ)テストにおける経済的・技術的課題は、ウェハ全面コンタクトを含む同時測定数の増加にあります。この測定のためには、数万ピンも搭載したプローブカードが必要となります。我々のプローブカード技術は、大オーバードライブ設計により、300mm径(近い将来は450mm径)ウェハのような広範囲プロービングにも適しています。


Probe Card for Inline Parametric Test

As the minimum feature size of device scales down, the local process variation in the advanced process technology nodes has greatly increased and becomes a critical factor in IC design and manufacturing. So, “In-line parametric tests” after the FEOL, have become a very important test process to optimize yields, provide process control feedback, and assure device quality. The probe cards used for low current measurements in the parametric tests are needed to have specifications to reduce leakage current down to femtoampere levels. Our sheet-structural probe has a compatibility with batch-process of multi-needles, patterning to circuits and insulation coating, and easiness to compose a multi-layered probe patterning with ground layers or guard structure, for low leakage current, as well as for high frequency.

デバイス最小サイズの微細化に伴い、先端プロセス技術のチップ内プロセスばらつきは著しく増大し、ICの設計及び製造両者における重要な要因になっています。従って、トランジスタ形成後の「インライン・パラメトリック・テスト」が、歩留の最大化、プロセス制御へのフィードバック、及びデバイスの品質保証のために非常に重要なテストプロセスになってきています。パラメトリック・テストにおける微小電流測定に使用されるプローブカードは、フェムトアンペアレベルまでリーク電流を低減できる特性が要求されます。このシート型プローブ構造とすることにより、多ピン加工・接続配線・絶縁処理の一括製造が容易になり、また、プローブパターンとグランド層又はガード構造との多層化も容易になります。そのため、高周波用としてだけでなく、低リーク電流のためのプローブを実現することが出来ます。